華燦光電擬募資15億元,投入Mini/MicroLED制造等項(xiàng)目
來(lái)源:行家說(shuō)Talk 編輯:swallow 2020-04-08 08:49:55 加入收藏 咨詢(xún)

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4月2日晚間,華燦光電披露非公開(kāi)發(fā)行股票預(yù)案,擬擬募集資金總額不超過(guò)15億元,投入Mini/Micro LED的研發(fā)與制造項(xiàng)目、GaN基電力電子器件的研發(fā)與制造項(xiàng)目。
華燦光電認(rèn)為,公司自設(shè)立以來(lái)一直從事化合物光電半導(dǎo)體材料與電器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售業(yè)務(wù),堅(jiān)持自主研發(fā)、技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)營(yíng)銷(xiāo)的發(fā)展戰(zhàn)略,持續(xù)圍繞半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局,打造中國(guó)高端制造品牌。2012 年,公司完成首次公開(kāi)發(fā)行股票并成功在創(chuàng)業(yè)板上市,整體實(shí)力、資金實(shí)力及品牌效應(yīng)均得到顯著提高,利用上市募集的資金擴(kuò)大 LED 芯片及外延片產(chǎn)能,長(zhǎng)期保持行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先地位。2016 年,公司成功并購(gòu)云南藍(lán)晶科技,并入藍(lán)寶石單晶、外延襯底以及其他藍(lán)寶石窗口材料業(yè)務(wù),向 LED 產(chǎn)業(yè)鏈上游拓展,實(shí)現(xiàn)自藍(lán)寶石材料至 LED 芯片垂直一體化的生產(chǎn)模式,增強(qiáng)業(yè)務(wù)多元化抗風(fēng)險(xiǎn)能力、穩(wěn)定原料來(lái)源、降低采購(gòu)成本波動(dòng)率。
全球半導(dǎo)體市場(chǎng)可分為四大細(xì)分領(lǐng)域,分別為集成電路、光電子、分立器件和傳感器,整體規(guī)模超過(guò) 4,000 億美元,并且伴隨著下游應(yīng)用市場(chǎng)的不斷豐富而呈現(xiàn)穩(wěn)健增長(zhǎng)的趨勢(shì)。作為典型的高科技產(chǎn)業(yè),新興技術(shù)的層出不窮均會(huì)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)造成巨大影響,同時(shí)也帶來(lái)不同細(xì)分市場(chǎng)的存量替代機(jī)會(huì)。因此,對(duì)新興技術(shù)的布局一直是業(yè)內(nèi)企業(yè)的重要發(fā)展戰(zhàn)略和競(jìng)爭(zhēng)要素,抓住行業(yè)趨勢(shì)、領(lǐng)先對(duì)手的策略有助于公司實(shí)現(xiàn)超越式發(fā)展。
本次非公開(kāi)發(fā)行募集資金所投資的項(xiàng)目方向包括 Mini/Micro LED、GaN 功率器件等,均是公司立足于產(chǎn)業(yè)前沿研究、自身技術(shù)積累、市場(chǎng)潛在空間等因素綜合考量后確定的重點(diǎn)發(fā)展方向,亦是公司中長(zhǎng)期規(guī)劃的重點(diǎn)突破領(lǐng)域。
華燦光電表示,Mini/Micro LED 的研發(fā)與制造項(xiàng)目系公司為繼續(xù)擴(kuò)大在 LED 芯片領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)、鞏固 LED 顯示屏芯片市場(chǎng)的領(lǐng)先地位而計(jì)劃實(shí)施的投產(chǎn)項(xiàng)目,項(xiàng)目總投資額為 139,267.22 萬(wàn)元,其中擬投入募投資金 120,000.00 萬(wàn)元。Mini/Micro LED 研發(fā)的內(nèi)容主要包括數(shù)學(xué)建模仿真、器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、外延工藝開(kāi)發(fā)、芯片工藝開(kāi)發(fā)等;量產(chǎn)的內(nèi)容主要包括 Mini/Micro LED 廠房及生產(chǎn)線(xiàn)建設(shè),進(jìn)行 LED 外延片和芯片的生產(chǎn)銷(xiāo)售。本項(xiàng)目主要采用自主建設(shè)的方式,建設(shè)期為三年,計(jì)劃分三年進(jìn)行投入,項(xiàng)目建成后,實(shí)現(xiàn)年產(chǎn) 95 萬(wàn)片 4 英寸 Mini/Micro LED 外延片。
GaN 基電力電子器件的研發(fā)與制造項(xiàng)目產(chǎn)品為中低壓系列硅基增強(qiáng)型 p 型柵 GaN 高電子遷移率晶體管(HEMT),包括 100V、200V、600/650V 三個(gè)電壓等級(jí)的多種型號(hào),主要面向智能手機(jī)、汽車(chē)電子、數(shù)據(jù)中心等市場(chǎng)應(yīng)用,具有高開(kāi)關(guān)頻率、高轉(zhuǎn)換效率、高耐壓強(qiáng)度的技術(shù)特性。本項(xiàng)目通過(guò)器件仿真設(shè)計(jì)、工藝制程開(kāi)發(fā)、測(cè)試失效分析,建立 GaN 功率器件設(shè)計(jì)和工藝 IP 庫(kù)。項(xiàng)目建成后,將建立 GaN 功率器件從設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)、外延生長(zhǎng)、芯片制造到晶圓測(cè)試的完整業(yè)務(wù)鏈,將產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、制造與市場(chǎng)需求緊密結(jié)合,通過(guò)更快的產(chǎn)品迭代和穩(wěn)定的良品率,以具有相當(dāng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的性?xún)r(jià)比,快速推進(jìn) GaN 功率器件的大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化。項(xiàng)目建設(shè)期三年,計(jì)劃總投資額 31,641.58 萬(wàn)元,其中擬投入募投資金30,000.00 萬(wàn)元。
華燦光電表示,本次發(fā)行募集資金的用途合理、可行,項(xiàng)目符合國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策,是國(guó)家鼓勵(lì)投資的產(chǎn)業(yè)。項(xiàng)目建設(shè)有利于完善公司業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu),提升公司綜合實(shí)力和核心競(jìng)爭(zhēng)力,促進(jìn)公司持續(xù)、健康發(fā)展,符合本公司及本公司全體股東的利益。
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