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五一剛過,LED業(yè)取得了這些技術(shù)突破

來源:廣東LED        編輯:swallow    2020-05-07 08:55:08     加入收藏

近期,LED行業(yè)就迎來不少技術(shù)消息,取得了眾多技術(shù)突破

  不知不覺,五一小長假就這么過去了,也許你還沉寂在假日的歡樂中,不過技術(shù)的革新可從不等人。近期,LED行業(yè)就迎來不少技術(shù)消息。對于企業(yè)而言,要跟上世界的每一個變化和進步,是至關(guān)重要的極大挑戰(zhàn)。昨天還僅僅處在理論階段的東西明天可能就變成行業(yè)標準了。

  新型3D打印機,使用LED代替激光源

  格拉茨理工大學(xué)的研究人員創(chuàng)造了一種新型的3D打印機,該打印機使用LED代替激光源,用于金屬零件的快速成型制造。這種新型3D打印機可以優(yōu)化3D金屬打印的施工時間、金屬粉末消耗、設(shè)備成本和后處理工作。目前開發(fā)團隊已經(jīng)為這款3D打印機申請了技術(shù)專利。

  該3D打印機使用的技術(shù)據(jù)說類似于選擇性激光或電子束熔化技術(shù)。該工藝使用的是熔化金屬粉末,然后將其堆積起來形成一個部件。這種新技術(shù)被稱為選擇性LED基熔化(Selective LED-based Melting,簡稱SLEDM),消除了基于粉末床制造工藝的兩個核心問題。

  這兩個核心問題包括大批量金屬部件的生產(chǎn)耗時,以及耗時的手工返工。SLEDM采用高性能的LED光束,其特點是由照明專家Preworks公司特別改裝的LED,并配備了復(fù)雜的透鏡系統(tǒng),可使LED光束的直徑得以聚焦。

  該透鏡系統(tǒng)允許在熔化過程中,光束在0.05到20毫米之間變化??筛淖兊腖ED焦點允許在單位時間內(nèi)熔化更大的體積,而不需要做內(nèi)部絲狀結(jié)構(gòu)。由于沒有內(nèi)部的絲狀結(jié)構(gòu),使得元件和燃料電池或醫(yī)療技術(shù)的生產(chǎn)時間縮短了20倍。

  該工藝還意味著,組件從上至下進行組裝,使組件外露,并將所需的粉末減少到最低限度。在印刷過程中可以進行必要的后處理。目前,該打印機正被用于生產(chǎn)生物可吸收的金屬植入物,如用于治療骨折的鎂合金制成的螺釘。那些植入物在骨折生長后會溶解到體內(nèi),不需要再進行第二次手術(shù)取出螺釘。

  新型鈣鈦礦LED,既高效又穩(wěn)定

  據(jù)瑞典林雪平大學(xué)官網(wǎng)近日報道,該校研究人員與英國、中國以及捷克共和國的同事們合作開發(fā)出一款既高效又長期穩(wěn)定運行的鈣鈦礦發(fā)光二極管。

  鈣鈦礦是引起全世界科學(xué)家興趣的一大類半導(dǎo)體材料。它們獨特的晶體結(jié)構(gòu),使它們具有卓越的光學(xué)以及電子特性,并且制造起來既簡單又便宜。雖然大部分進展都是在研究太陽能電池中使用鈣鈦礦所取得的,但是它們也非常適合制造LED。

  近年來,鈣鈦礦LED的效率顯著提升,而且不久將達到競爭技術(shù)的效率。然而,它們并不是特別穩(wěn)定,這意味著目前無法投入實際應(yīng)用。

  近日,瑞典林雪平大學(xué)的研究人員與英國、中國以及捷克共和國的同事們合作開發(fā)出一款既高效又長期穩(wěn)定運行的鈣鈦礦發(fā)光二極管。研究成果發(fā)表在《自然通信(Nature Communications)》期刊上。林雪平大學(xué)生物分子與有機電子部門的負責(zé)人FengGao 教授表示:“鈣鈦礦基發(fā)光二極管對于實際應(yīng)用來說還不足夠穩(wěn)定,但是我們已經(jīng)讓它們向著這個目標邁進了一步。”

  林雪平大學(xué)生物分子與有機電子部門的研究員、與 Feng Gao 同為這篇論文主要作者的 Xiao-Ke LiU 表示:“還有許多工作要做。目前,大部分的鈣鈦礦LED要么效率低,要么器件穩(wěn)定性差。”

  許多科研小組都試圖擺脫這一困境,然而卻沒有取得顯著的成功。近日,瑞典林雪平大學(xué)的研究人員與英國、中國和捷克共和國的同事們找到了一條前進的道路。他們采用了一種由鉛、碘和有機物甲脒組成的鈣鈦礦,然后將這種鈣鈦礦嵌入到一種有機分子基體中,形成一種復(fù)合薄膜。

  生物分子與有機電子部門的博士生 Heyong Wang 表示:“這種分子的末端含有兩個氨基,幫助其他物質(zhì)形成一種優(yōu)質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu),這就是鈣鈦礦的特征,使晶體穩(wěn)定。”

  這種新型復(fù)合薄膜使得研究小組能夠開發(fā)出效率達17.3%的LED,半衰期很長,大約100小時。這種含有鉛和鹵素(在這個案例中是碘)的鈣鈦礦,具有最佳的發(fā)光特性。Feng Gao 表示:“我們很想去掉鉛。目前,我們還有找到一個很好的辦法,但是我們正在努力。”

  下一步就是測試不同的鈣鈦礦與有機分子的組合,并詳細了解成核和結(jié)晶過程是如何發(fā)生的。不同的鈣鈦礦賦予光線不同的波長,這是實現(xiàn)白光LED這一長期目標的必要條件。

  采用電吸收光譜原位,研究鈣鈦礦LED的降解機理

  近日,香港中文大學(xué)趙鈮團隊利用電吸收光譜技術(shù)原位研究了鈣鈦礦LED的降解機理,并且通過電荷復(fù)合的器件模型模擬了降解發(fā)生的原因與位置。此外研究者引入了一種沉積后表面處理方法來用PEAI鈍化鈣鈦礦表面進一步從實驗方面證實這些假設(shè)。文章發(fā)表在Adv. Funct. Mater.上,題目為“Degradation Mechanism of Perovskite Light-Emitting Diodes: An In Situ Investigation via Electroabsorption Spectroscopy and Device Modelling”。

  a) 鈣鈦礦LED器件的結(jié)構(gòu)示意圖;

  b) 器件的能帶圖;

  c) 不同工作偏壓下的電致發(fā)光光譜;

  d)本文所監(jiān)測的典型鈣鈦礦LED的電流-電壓曲線和電流-輻照度和電流-亮度關(guān)系;

  f) 當(dāng)恒流密度為100mA cm-2時,EQE隨時間衰減。

  a) 時間相關(guān)ZnO和TFB層的一次諧波電吸收譜(EA);

  b)在電流密度為833 mA cm−2時制備的鈣鈦礦層的二次諧波EA。

  a)導(dǎo)帶以下能級為0.03 eV的碘空位缺陷,注入電流密度為100 mA cm-2的鈣鈦礦LED器件的模擬復(fù)合速率;

  b)能級高于價帶0.04 eV的鉛空位缺陷,注入電流密度為100 mA cm-2的鈣鈦礦LED器件的模擬復(fù)合速率;

  c)價帶上能級為0.6 eV的碘間隙缺陷陷阱,注入電流密度為100 mA cm-2的鈣鈦礦LED器件的模擬復(fù)合速率;

  d)價帶以上能級為1.0 eV的反位錯鉛缺陷陷阱,注入電流密度為100 mA cm-2的鈣鈦礦LED器件的模擬復(fù)合速率;

  e)非輻射復(fù)合速率沿垂直方向的分布。

  a)不同PEAI濃度下器件的電流-電壓曲線對比;

  b)不同PEAI濃度下器件的亮度與電流密度曲線對比;

  c)有PEAI層和無PEAI層鈣鈦礦LED器件的EL譜;

  d)有PEAI層和無PEAI層PeLED器件的工作穩(wěn)定性的比較;

  c)在電流密度為100mA cm-2時,有PEAI層鈣鈦礦LED器件的時變EA譜;

  c)在電流密度為100mA cm-2時,無PEAI層的鈣鈦礦LED器件的時變EA譜。

  a-b)鈦礦表面晶格結(jié)構(gòu)(左面板)和未經(jīng)PEAI鈍化處理的鈣鈦礦LEDs a)和b)的器件模型(右面板)的示意圖。藍色和紅色箭頭分別表示電子和空穴的輸運方向。

  研究者利用電吸收光譜技術(shù)來監(jiān)測鈣鈦礦LED在運行過程中各功能層的穩(wěn)定性。通過時間相關(guān)的電吸收光譜分析,清楚地表明鈣鈦礦LED的降解主要發(fā)生在鈣鈦礦層中?;陔姾蓮?fù)合的器件模型,進一步指出這種降解可能是由TFB/鈣鈦礦界面引起的,界面區(qū)的空位、間隙或反晶缺陷會加劇這種降解。為了證實這些假設(shè),研究者引入了一種沉積后表面處理方法來用PEAI鈍化鈣鈦礦表面。在電流密度為100 mA cm-2的條件下,鈍化處理可顯著提高鍍層的穩(wěn)定性,使鍍層的使用壽命由1.5小時提高到11.3h。這項工作展示了一個有效的工具來探索一個多層結(jié)構(gòu)鈣鈦礦器件的降解過程。這項發(fā)現(xiàn)有助于開發(fā)用于鈦礦器件穩(wěn)定性研究的新方法,同時也強調(diào)了表面缺陷鈍化在提高商業(yè)應(yīng)用中鈣鈦礦器件穩(wěn)定性方面的重要性。

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