国产成人精品久久二区二区,国产精品碰碰现在自在拍,俄罗斯一级成人毛片,337p欧洲大胆艺术,亚洲不卡护士高清av在线播放,国产短视频精品区第一页,老师喂我乳,我脱他她胸罩

DAV首頁
數(shù)字音視工程網(wǎng)

微信公眾號

數(shù)字音視工程網(wǎng)

手機DAV

null
null
null
卓華,
招商,
null
null
null
快捷,
null

我的位置:

share

綜述:Micro-LED顯示全彩化關(guān)鍵技術(shù)

來源:MicroLED產(chǎn)業(yè)研究        編輯:lsy631994092    2021-09-08 08:53:25     加入收藏

一、研究背景在過去幾十年,顯示技術(shù)得到了廣泛使用。我們在生活中可以看到大量的應(yīng)用,例如電視、大型視頻廣告牌、計算機、智能設(shè)備等。目前,液晶顯示器(LC...

  一、研究背景

  在過去幾十年,顯示技術(shù)得到了廣泛使用。我們在生活中可以看到大量的應(yīng)用,例如電視、大型視頻廣告牌、計算機、智能設(shè)備等。目前,液晶顯示器(LCD)和有機發(fā)光二極管 (OLED) 顯示技術(shù)占據(jù)顯示市場。進一步地,顯示器的各種新興應(yīng)用,例如虛擬現(xiàn)實(VR)和增強現(xiàn)實(AR),促進了高性能顯示技術(shù)的發(fā)展。微發(fā)光二極管顯示器(micro-LED顯示)是一種主要基于無機GaN基LED的新興技術(shù),與LCD和OLED相比,它具有高對比度、低功耗、長壽命和快速響應(yīng)等優(yōu)點。將來,micro-LED的應(yīng)用可以從平板顯示器擴展到空間顯示器、可穿戴/可植入光電設(shè)備、光通信、生物醫(yī)學(xué)檢測等領(lǐng)域。

  下圖描述了未來顯示的一種應(yīng)用場景:micro-LED可用作光電探測器來接收外部信號,高帶寬micro-LED發(fā)射器也可以通過顯示器并行地將信息傳輸給消費者。(圖1.1,引用文獻(xiàn):X. Liu et al. ACS Photonics, 6: 3186 (2019))高度集成的半導(dǎo)體信息顯示是下一代信息顯示技術(shù)的核心,它將空間3D光場顯示(LFD)、多色照明(MCL)、精確空間定位(PSP)和可見光通信技術(shù)(LiFi)集成在一起。Micro-LED陣列是一種高效、低功耗的器件,可以將驅(qū)動器、照明和信號傳輸結(jié)合在一起。盡管micro-LED具有廣闊的商業(yè)前景,但仍面臨巨大挑戰(zhàn):例如尺寸減小對性能的影響,在單個晶圓上實現(xiàn)高密度集成以獨立尋址全彩化micro-LED顯示器,提高修復(fù)技術(shù)和產(chǎn)量等。

  圖1.1 集成micro-LED顯示和雙工可見光通信的智能Micro-LED顯示系統(tǒng)。(來源:田朋飛團隊發(fā)表論文ACS Photonics, 6: 3186 (2019),相關(guān)成果被國際半導(dǎo)體行業(yè)的著名雜志Semiconductor Today新聞報道。)

  二、文章簡介

  復(fù)旦大學(xué)田朋飛副教授、臺灣交通大學(xué)郭浩中教授等團隊受Progress in Quantum Electronics主編邀請對Micro-LED顯示全彩化關(guān)鍵技術(shù)“Growth, transfer printing and colour conversion techniques towards full-colour micro-LED display”進行了綜述(https://doi.org/10.1016/j.pquantelec.2020.100263),該review論文由復(fù)旦大學(xué)、臺灣交通大學(xué)、電子科技大學(xué)共同完成,復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院博士研究生周小潔、田朋飛副教授為共同第一作者,田朋飛副教授、臺灣交通大學(xué)郭浩中教授為共同通訊作者?!禤rogress in Quantum Electronics》雜志為國際知名review期刊,3年平均影響因子8.95。

  文章介紹了micro-LED的結(jié)構(gòu)、制備與襯底剝離技術(shù),系統(tǒng)闡述了實現(xiàn)micro-LED顯示全彩化的主要方法:材料生長、轉(zhuǎn)移打印、色轉(zhuǎn)換。論文對三種關(guān)鍵技術(shù)的機理、實現(xiàn)方法、優(yōu)缺點進行著重介紹,并總結(jié)了關(guān)鍵技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)及micro-LED顯示全彩化未來的發(fā)展方向(圖2.1)。

圖2.1 實現(xiàn)micro-LED顯示全彩化的主要方法

  三、主要內(nèi)容

  1、材料生長

  Micro-LED的生長技術(shù)是獲得micro-LED顯示全彩化的方案之一,該方法可以實現(xiàn)超高分辨率顯示。文中主要討論了納米線LED、多色量子阱(QW)結(jié)構(gòu)micro-LED和納米環(huán)LED三種結(jié)構(gòu)。

  納米線LED的制備是利用選區(qū)生長(SAG)技術(shù)。通過控制InGaN/GaN納米線的成分來實現(xiàn)發(fā)光顏色的轉(zhuǎn)換。圖1呈現(xiàn)出了組裝納米線陣列LED和獨立納米線LED的結(jié)果圖??梢钥闯觯S著尺寸的增大,二者表現(xiàn)出不同的發(fā)射峰移動方向。(圖3.1,引用文獻(xiàn):①B.H. Le et al. Advanced Materials 28 (2016) 8446-8454. ②H. Sekiguchi et al. Applied Physics Letters 96 (2010) 231104.③Y.-H. Ra et al. Nano Letters 16 (2016) 4608-4615.)

圖3.1

  多色QW結(jié)構(gòu)micro-LED的顏色調(diào)控是基于QW的特殊結(jié)構(gòu),再利用能帶填充和量子限制斯塔克效應(yīng)(QCSE)屏蔽的競爭關(guān)系實現(xiàn)發(fā)射峰的藍(lán)移。相關(guān)結(jié)構(gòu)與測試結(jié)果如圖3.2所示。(圖3.2,引用文獻(xiàn):S. Zhang et al. IEEE Photonics Journal 4 (2012) 1639-1646.)

圖3.2

  對于納米環(huán)LED的發(fā)光顏色轉(zhuǎn)換,是通過減小壁厚度及釋放內(nèi)部應(yīng)變來抑制QCSE,進而促進發(fā)射峰的藍(lán)移,如圖3.3所示。(圖3.3,引用文獻(xiàn):①S.-W. Wang et al. Scientific Reports 7 (2017) 42962. ②S.-W.H et al. Photonics Research 7 (2019) 416-422.)

圖3.3

  2、轉(zhuǎn)移打印

  轉(zhuǎn)移打印是實現(xiàn)micro-LED顯示全彩化的關(guān)鍵技術(shù)。自John Rogers教授團隊利用PDMS stamp轉(zhuǎn)移micro-LED,Martin Dawson教授團隊實現(xiàn)納米精度PDMS轉(zhuǎn)移后,各大公司提出了不同的轉(zhuǎn)移技術(shù)。本文根據(jù)大量論文、專利的知識,主要描述了范德瓦爾斯力轉(zhuǎn)移打印、激光選擇性釋放、靜電吸附、電磁力吸附、流體轉(zhuǎn)移五種方法。表1顯示了轉(zhuǎn)印技術(shù)的典型參數(shù),包括關(guān)鍵材料、作用力、UPH和適用芯片尺寸。以PDMS stamp拾取技術(shù)為例,UPH隨著PDMS stamp的尺寸,像素密度和拾取周期的增加而上升。

表1

  范德瓦爾斯力轉(zhuǎn)移打印是利用PDMS stamp拾取速度與材料間能量釋放率的關(guān)系來實現(xiàn)的,圖4為二者的關(guān)系。(圖3.4,引用文獻(xiàn):X. Feng et al. Langmuir 23 (2007) 12555-12560.)

  v大于vc時,PDMS stamp和micro-LED之間的粘附性大,PDMS stamp從原始襯底拾取micro-LED

  v小于vc時,micro-LED和襯底之間的粘附性大, PDMS stamp將micro-LED打印到接收襯底上

圖3.4

  激光選擇性釋放是利用材料對激光的不同吸收系數(shù),引起界面的熱膨脹,從而引起犧牲層的燒蝕,使micro-LED從原始襯底轉(zhuǎn)移到接收襯底,如圖5所示。(圖3.5,引用Sony的專利。)若為GaN外延片,界面處的GaN緩沖層分解成Ga和N2,實現(xiàn)芯片的分離和轉(zhuǎn)移。

圖3.5

  靜電吸附是利用靜電轉(zhuǎn)移頭產(chǎn)生吸引力或者排斥力實現(xiàn)對micro-LED的拾取和放置。(圖3.6,引用Apple的專利。)在拾取micro-LED階段,在吸附轉(zhuǎn)移頭和芯片上產(chǎn)生不同電荷,將micro-LED吸附拾取。在放置micro-LED階段,通過調(diào)節(jié)內(nèi)外電極電壓差,使得電壓差為零,將micro-LED放置到接收襯底。鍵合方式包括共晶合金鍵合、瞬態(tài)液相鍵合或固態(tài)擴散鍵合。

圖3.6

  電磁力吸附轉(zhuǎn)移技術(shù)有點類似于靜電吸附轉(zhuǎn)移,不同的是,該方法是通過線圈電感產(chǎn)生電磁力的方式,將micro-LED吸附及放下,如圖3.7所示。(圖3.7,引用ITRI的專利。)在拾取micro-LED階段,主要方式為去除犧牲層,使其處于懸空狀態(tài),電可編程磁性模塊產(chǎn)生磁力,吸附拾取芯片;在打印micro-LED階段,電可編程磁性模塊通過加熱工藝將導(dǎo)電模塊與接收器襯底對準(zhǔn)并接觸,從而將micro-LED與接收襯底鍵合。最后,斷電消除磁力,拾取電可編程磁性模塊。

圖3.7

  相比于上述提到的轉(zhuǎn)移技術(shù),流體轉(zhuǎn)移技術(shù)的成本更低、速度更快。這種技術(shù)是利用刷子的移動來控制流體中micro-LED的運動,最后使它落入接收襯底的井中,如圖3.8所示。(圖3.8,引用eLux的專利。)當(dāng)V0 ? Vcrit,,隨著電刷的平移和旋轉(zhuǎn),電刷周圍的流體產(chǎn)生湍流,因此許多micro-LED聚集在該區(qū)域中。首先,這些micro-LED被動地向上移動,并由于湍流而高速離開基板表面;接下來,刷子繼續(xù)移動,驅(qū)動這些micro-LED開始在基板表面上向前散射,然后通過流體、振蕩、減速,最后以低于Vcrit的速度沉入井中。

  V0代表micro-LED的速度,Vcrit代表臨界捕獲速度。

  V0高于Vcrit , Micro-LED逃離井。

  V0小于等于Vcrit , Micro-LED被井捕獲。

圖3.8

  3、顏色轉(zhuǎn)換

  顏色轉(zhuǎn)換技術(shù)是實現(xiàn)micro-LED顯示全彩化的另一種典型方法。這項技術(shù)最初是由Martin Dawson小組提出的。隨著這項技術(shù)的蓬勃發(fā)展,來自臺灣交通大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)和一些公司的團隊也采用了類似的技術(shù)來實現(xiàn)全彩色顯示。本文主要講述了打印技術(shù)、紫外自對準(zhǔn)固化技術(shù)和無機薄膜色轉(zhuǎn)換三種方法。

  郭浩中教授團隊通過紫外/藍(lán)色micro-LED來激發(fā)紅色和綠色量子點實現(xiàn)紅光和綠光的發(fā)射。進一步地,他們增加了光刻模具來減小micro-LED之間的光學(xué)串?dāng)_。如圖3.9所示。(圖3.9,引用文獻(xiàn):①H.-V. Han et al. Optics Express 23 (2015) 32504-32515. ②H.-Y. Lin et al. Photonics Research 5 (2017) 411-416.)

圖3.9

  紫外自對準(zhǔn)固化是Martin Dawson教授團隊提出的,利用紫外micro-LED激發(fā)摻入不同顏色納米晶體的納米復(fù)合材料,實現(xiàn)多色轉(zhuǎn)換。如圖3.10所示。(圖3.10,引用文獻(xiàn):B. Guilhabert et al. Optics Express 16 (2008) 18933-18941.)

圖3.10

  除此之外,Martin Dawson教授團隊還提出了一種與轉(zhuǎn)移打印兼容的顏色轉(zhuǎn)換方法實現(xiàn)無機薄膜的顏色轉(zhuǎn)換。主要是利用液相毛細(xì)管力將平面MQW無機半導(dǎo)體膜轉(zhuǎn)印到450 nm的micro-LED上,并成功制備了發(fā)射540 nm的光的混合型micro-LED。如圖3.11所示。(圖3.11,引用文獻(xiàn):J.M.M. Santos et al.Semiconductor Science and Technology 30 (2015) 035012.)

圖3.11

  四、總結(jié)與展望

  本文總結(jié)了近年來的各種micro-LED顯示全彩化技術(shù),包括生長技術(shù)、轉(zhuǎn)移打印技術(shù)、顏色轉(zhuǎn)換技術(shù)。

  生長技術(shù)在結(jié)構(gòu)和機理的研究上已經(jīng)取得了很大的進展,這在高分辨率和高效率的micro-LED顯示全彩化應(yīng)用中有巨大的潛力。然而,驅(qū)動器與micro-LED陣列的集成以及效率的提高是該技術(shù)面臨的巨大挑戰(zhàn)。

  轉(zhuǎn)移打印技術(shù)已被許多公司廣泛使用,但是成本和產(chǎn)量是該技術(shù)發(fā)展的主要障礙。顏色轉(zhuǎn)換技術(shù)可實現(xiàn)低成本和高PPI的micro-LED顯示全彩化。然而,材料的能量損失、低效率和不穩(wěn)定性仍然是需要進一步地解決。

  目前,micro-LED顯示市場仍處于起步階段,尚未大規(guī)模量產(chǎn)。對我們而言,這不僅是機遇,也是挑戰(zhàn)。許多企業(yè)(如蘋果、華星光電等)已經(jīng)投資了用于micro-LED顯示全彩化的關(guān)鍵技術(shù),例如轉(zhuǎn)移打印技術(shù)。在衍生產(chǎn)品方面,主要的制造商也已提前開始相關(guān)研究。對于終端應(yīng)用,大型戶外和商用顯示器將首先出現(xiàn),其次是汽車和可穿戴顯示器。未來,隨著世界范圍內(nèi)關(guān)鍵技術(shù)地迅速發(fā)展,大面積、低成本、高效率的Micro-LED顯示屏有望成為未來的重要顯示技術(shù)。

  五、致謝

  這項工作得到了國家自然科學(xué)基金(61974031和61705041)、上海市技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)計劃(18DZ2206000)和國家重點研發(fā)計劃(2017YFB0403603)項目的支持。作者要感謝諾貝爾獎得主中村修二教授對本文的幫助。

  Authors:Xiaojie Zhou#, Pengfei Tian#,*, Chin-Wei Sher, Jiang Wu, Hezhuang Liu, Ran Liu and Hao-Chung Kuo*

  Title: Growth, transfer printing and colour conversion techniques towards full-colour micro-LED display

  Published in: Progress in Quantum Electronics, doi:10.1016/j.pquantelec.2020.100263.

  作者:復(fù)旦大學(xué)田朋飛

  來源: 中國半導(dǎo)體照明網(wǎng)、極智頭條

免責(zé)聲明:本文來源于MicroLED產(chǎn)業(yè)研究,本文僅代表作者個人觀點,本站不作任何保證和承諾,若有任何疑問,請與本文作者聯(lián)系或有侵權(quán)行為聯(lián)系本站刪除。(原創(chuàng)稿件未經(jīng)許可,不可轉(zhuǎn)載,轉(zhuǎn)載請注明來源)
掃一掃關(guān)注數(shù)字音視工程網(wǎng)公眾號

相關(guān)閱讀related

評論comment

 
驗證碼:
您還能輸入500