國內(nèi)外高校兩項Micro LED研究進展一覽
來源:MicroLED視界 編輯:ZZZ 2023-11-23 09:04:39 加入收藏
近日,國內(nèi)外高校相繼在Micro LED 研究上又有新進展。
01 香港科技大學研發(fā)全彩Micro LED制作新技術(shù)
香港科技大學 (HKUST ) 的研究團隊展示了一種新技術(shù),可利用InGaN和AlGaInP半導(dǎo)體材料的異質(zhì)集成實現(xiàn)全彩Micro LED顯示器。
據(jù)悉,研究團隊制造了一款Micro LED微型顯示器原型,具有200x80像素和每英寸391像素的超高分辨率。為了實現(xiàn)全彩顯示效果,團隊開發(fā)了一種集成藍、綠和紅光的Micro LED陣列雙層顯示架構(gòu)。
通過異構(gòu)集成的方法,團隊能夠利用InGaN和AlGaInP材料的高效率分別實現(xiàn)藍、綠和紅光發(fā)射。
研究人員表示,新技術(shù)與多堆棧晶圓鍵合或顏色轉(zhuǎn)換等現(xiàn)有技術(shù)相比,其簡化了制造流程。利用該技術(shù),研究團隊成功地在微顯示器上顯示全彩圖像,顯示器具有109% sRGB色域和300尼特的亮度。研究團隊表示,通過增強像素驅(qū)動器和優(yōu)化GaN雙色外延片 的方法,可以進一步改善微顯示器的顏色混合并實現(xiàn)超過4000尼特的亮度。
02 謝菲爾德大學研發(fā)外延生長Micro LED技術(shù)
謝菲爾德大學的研究人員開發(fā)了一種Micro LED制造新方法,稱作Confined selective epitaxy (CSE) 的技術(shù)。該技術(shù)允許在外延生長過程中直接形成Micro LED,而不是使用傳統(tǒng)的蝕刻工藝。新技術(shù)避免等離子體損壞,顯著提高Micro LED的性能和功能。研究團隊表示CSE技術(shù)可有效解決Micro LED面臨的多項生產(chǎn)挑戰(zhàn)。
據(jù)團隊介紹,在效率方面,CSE技術(shù)實現(xiàn)了尺寸為3.6μm的綠光Micro LED,峰值外部量子效率達到9%,較蝕刻技術(shù)打造的Micro LED提升1~5%。
在波長方面,CSE技術(shù)可實現(xiàn)以直接生長紅光642nm的Micro LED,具有1.75%的外量子效率 。在電流泄漏方面,CSE技術(shù)可將Micro LED側(cè)壁泄漏電流密度降低至3×10- 6 A/cm2 ,減少顯示器像素的無意激活。
在集成度方面,CSE技術(shù)實現(xiàn)了Micro LED與HEMT驅(qū)動器電子器件的直接集成,避免了復(fù)雜的組裝步驟。
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