5月13日，外媒報(bào)道，應(yīng)用材料公司(Applied Materials)推出了一種利用創(chuàng)新量子點(diǎn) (QD) 技術(shù)打造全彩Micro LED顯示器的新方法。

　　該企業(yè)的研究團(tuán)隊(duì)將這種新技術(shù)稱為全彩轉(zhuǎn)換方法(Full-color conversion approach)，將UV Micro LED與紅、綠、藍(lán)量子點(diǎn)相結(jié)合，相較傳統(tǒng)全彩化技術(shù)具有更多的優(yōu)勢(shì)。

　　據(jù)悉，目前實(shí)現(xiàn)全彩Micro LED顯示的方法主要有三種，一是通過原生RGB Micro LED打造(Native RGB Micro LEDs)、二是采用部分色轉(zhuǎn)換的混合方式(Hybrid structures (partial color conversion))、三是使用全彩轉(zhuǎn)換方法(Full-color conversion)。

Micro LED全彩化技術(shù)對(duì)比(圖片來(lái)源：應(yīng)用材料公司)

　　據(jù)悉，原生RGB方法盡管組裝簡(jiǎn)單，但面臨發(fā)光效率低和背板電路設(shè)計(jì)復(fù)雜的問題。部分色轉(zhuǎn)換的方式雖簡(jiǎn)化了制造復(fù)雜度，但卻會(huì)損壞顏色純度。而相較前兩種方法，應(yīng)用材料公司更看好全彩轉(zhuǎn)換方法，通過結(jié)合UV Micro LED和RGB量子點(diǎn)，可簡(jiǎn)化全彩Micro LED的制造，并增強(qiáng)顏色均勻性，提高像素?cái)?shù)量。

　　具體來(lái)看，應(yīng)用材料公司采用385nm的UV Micro LED作為激發(fā)源打造無(wú)鎘和無(wú)鉛的量子點(diǎn)，其中包括了基于InP的紅光和綠光量子點(diǎn)以及基于ZnSe的藍(lán)光量子點(diǎn)。這些量子點(diǎn)具有顯著的紫外光吸收和無(wú)環(huán)境污染特性，在集成過程具有穩(wěn)定性，并展示了其高性能顯示的潛力。

　　在量子點(diǎn)像素制造過程中，應(yīng)用材料公司主要采用了光刻和噴墨印刷的方法。其中光刻技術(shù)適用于高PPI的顯示器制造;

　　而大尺寸顯示器采用噴墨印刷技術(shù)，以確保量子點(diǎn)的精確放置。為此，研究團(tuán)隊(duì)還開發(fā)了創(chuàng)新的印刷-固化-清洗-干燥(PCWD)工藝，采用工業(yè)級(jí)壓電噴墨印刷，然后進(jìn)行選擇性UV固化，以實(shí)現(xiàn)精確的QD放置并防止?jié)B色。

　　在該項(xiàng)研究中，應(yīng)用材料公司展示了一款采用UV Micro LED結(jié)合RGB量子點(diǎn)技術(shù)打造的1.37英寸智能手表顯示屏原型，實(shí)現(xiàn)了318PPI的像素密度、超過3,000nits的亮度和高對(duì)比度。該顯示屏覆蓋了超過90%的DCI-P3色域，通過增強(qiáng)像素隔離可以將色域提高至99%。

圖片來(lái)源：應(yīng)用材料公司

　　此外，與基于GaN的Micro LED、OLED和LCD顯示器相比，量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換Micro LED顯示器的角度發(fā)光呈現(xiàn)更高的均勻性。

　　應(yīng)用材料公司表示，該Micro LED全彩化技術(shù)雖取得了一定進(jìn)展，但仍未成熟。未來(lái)，提高低電流密度下的LED效率、解決Micro LED側(cè)壁的載流子損耗問題以及確保量子點(diǎn)穩(wěn)定性是該技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展的關(guān)鍵。而封裝技術(shù)和增強(qiáng)量子點(diǎn)合成則對(duì)于減輕降解和實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期穩(wěn)定性應(yīng)用至關(guān)重要。