從產(chǎn)業(yè)宏觀角度來看，目前Micro-LED進入大規(guī)模商業(yè)化正面臨著精度、良率、效率和成本等一系列挑戰(zhàn)。

　　為了實現(xiàn)高性能的Micro-LED顯示，需要達到前所未有的制造精度，這使得傳統(tǒng)的制造技術變得不再適用。隨著新技術的不斷發(fā)展，工藝的迭代升級成為必然，但這也帶來了良率和效率方面的問題，進一步增加了生產(chǎn)各個環(huán)節(jié)的成本，從而制約了Micro-LED技術的大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化。

　　具體而言，目前最關鍵的三大技術難題包括巨量轉(zhuǎn)移、TFT背板制造以及驅(qū)動技術。這些問題能否得到解決將直接影響到Micro-LED技術的商業(yè)化和市場普及。

　　難點1：巨量轉(zhuǎn)移

　　巨量轉(zhuǎn)移是指將生長在外延基板上的Micro-LED芯片高速精準地轉(zhuǎn)移到目標基板上的一種技術，它是制約Micro-LED量產(chǎn)的關鍵。因此，誰能率先掌握這項關鍵技術，誰就有機會快速搶占未來顯示市場。

　　以一塊4K分辨率的Micro-LED顯示面板為例，上面有約830萬個像素點，每個像素點由三顆分別代表紅、綠、藍(RGB)三種顏色的LED芯片組成，這意味著一塊4K顯示面板上要有近2,500萬顆 Micro-LED芯片，這要求LED芯片轉(zhuǎn)移設備必須同時達到高效率和高良率的標準，才能滿足量產(chǎn)的需求。

　　目前較為主流的巨量轉(zhuǎn)移方式為印章轉(zhuǎn)移技術、激光轉(zhuǎn)移技術，或者是這兩種技術的結(jié)合使用。

　　難點2：TFT背板制造

　　從Micro-LED的核心集成工藝及巨量轉(zhuǎn)移技術角度看，采用平板顯示技術的TFT背板，不僅較傳統(tǒng)PCB電路板具備表面平整度上的優(yōu)勢，且能更好承接巨量轉(zhuǎn)移工藝;但該技術在實際應用和生產(chǎn)過程中仍然面臨諸多挑戰(zhàn)和問題。

　　首先在制造成本上，制造TFT背板需要高精度的設備和工藝，這些設備通常包括但不限于光刻機、化學氣相沉積(CVD)系統(tǒng)、物理氣相沉積(PVD)系統(tǒng)、蝕刻機以及清洗和檢測設備。這些先進的設備需要高昂的購置和維護費用，一定程度上導致初期投資和生產(chǎn)成本較高。

　　其次是技術的實際應用，當TFT背板用于拼接成大型顯示屏時，面臨的技術挑戰(zhàn)尤為顯著。尤其是側(cè)壁走線技術和厚銅連接技術的實現(xiàn)，這些是確保大屏顯示性能和可靠性的關鍵。在設計階段和制造過程中，工程師必須巧妙地安排TFT背板上的電路布局和連接方式，同時還要確保玻璃基板的整體平整性和穩(wěn)定性不受影響。為了達到這一目標，涉及一系列精密的工程技術和材料科學知識。例如，側(cè)壁走線技術要求電路線路能夠在基板邊緣順利轉(zhuǎn)折，同時保持信號的完整性和低電阻。而厚銅技術則涉及到在基板上沉積較厚的銅層以提供更好的電導性和熱管理，但這又可能會對基板的平整性造成影響。這些技術難題對生產(chǎn)良率和成本控制都提出了更高的要求。

　　難點3：驅(qū)動架構(gòu)

　　由于LED芯片的發(fā)光特性與LCD和OLED不同，并不能直接采用現(xiàn)有的驅(qū)動架構(gòu)來實現(xiàn)Micro-LED顯示。受限于目前小尺寸LED芯片的發(fā)光特性，模擬驅(qū)動方式會帶來灰階無法展開和功耗太高的問題。與之相比，數(shù)字驅(qū)動可以使用固定的大驅(qū)動電流，通過不同的顯示時長來調(diào)節(jié)顯示亮度的驅(qū)動方式，將二者結(jié)合才能開發(fā)出適合于Micro-LED顯示的驅(qū)動架構(gòu)。

　　另外，Micro-LED顯示中的驅(qū)動電路需要通過占空比來調(diào)整亮度和色階。在低灰階下，驅(qū)動電流非常小，可能導致亮度和色度不穩(wěn)定的問題。所以需要優(yōu)化Micro-LED的設計以提高小電流驅(qū)動精度和低灰階下的顯示一致性。

　　未來，Micro-LED大屏若要實現(xiàn)成本優(yōu)化，加速滲透商用及消費電子市場，上述問題亟待解決。