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Micro-LED技術(shù)揭秘之一:芯片制造的挑戰(zhàn)與突破

來源:數(shù)字音視工程網(wǎng)        編輯:ZZZ    2024-06-17 14:38:50     加入收藏

Micro-LED,即微型發(fā)光二極管,是一種新型的顯示技術(shù),它利用微小的LED作為顯示單元。

  Micro-LED究竟是什么呢?本文將聚焦于Micro-LED的芯片制造,為您揭曉這一創(chuàng)新技術(shù)!

 

Micro-LED技術(shù)概述

  Micro-LED,即微型發(fā)光二極管,是一種新型的顯示技術(shù),它利用微小的LED作為顯示單元。與傳統(tǒng)的液晶顯示器和OLED顯示器不同,Micro-LED顯示器由數(shù)百萬個微小的LED組成,每個LED都可以獨立發(fā)光,具有高亮度、高對比度、高色彩飽和度和快速響應(yīng)時間的優(yōu)勢。

 

芯片制造的挑戰(zhàn)與技術(shù)要點

  Micro-LED芯片制造的挑戰(zhàn)主要集中在以下幾個方面:

  1.芯片良率的挑戰(zhàn)

  隨著Micro-LED芯片的微縮化,半導(dǎo)體制造工藝的復(fù)雜度顯著增加,從而使得單站制程的良品率(Yield)成為衡量生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)。盡管目前良品率控制主要針對單個晶圓(Wafer)進(jìn)行,且最高良品率可達(dá)99.9%,但這種單一指標(biāo)并不足以全面反映芯片的實際品質(zhì)和可靠性。

  2.發(fā)光效率的挑戰(zhàn)

  隨著尺寸的減小,Micro-LED在高電流密度下發(fā)光效率急劇降低。研究表明與芯片幾何結(jié)構(gòu)中的微小“側(cè)壁”缺陷有關(guān),對于Micro-LED來說,即使是微小的2μm側(cè)壁缺陷也可能導(dǎo)致破壞性的影響,因此如何減小側(cè)壁損傷或?qū)?cè)壁進(jìn)行有效修復(fù),對Micro-LED芯片的加工工藝提出了新的挑戰(zhàn)。

  3.分光分色的挑戰(zhàn)

  為了保證亮度和色度的一致性,LED產(chǎn)品需要進(jìn)行分光分色。Micro-LED芯片微縮后,傳統(tǒng)的測量設(shè)備不再適用,對Micro-LED芯片的分光分色提出了新的挑戰(zhàn)。這要求開發(fā)新的測量技術(shù)和方法,以適應(yīng)Micro-LED的微縮化特性。

  Micro-LED芯片的微縮化為制造工藝帶來了一系列挑戰(zhàn),從芯片良率的工藝難點,到發(fā)光效率和分光分色的難題,每一個環(huán)節(jié)都需要技術(shù)創(chuàng)新和精細(xì)的工藝控制。盡管面臨諸多挑戰(zhàn),但隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和突破,Micro-LED顯示技術(shù)有望在未來的顯示領(lǐng)域大放異彩。在接下來的系列文章中,我們將繼續(xù)深入探討Micro-LED的其他核心主題,敬請期待。

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