5企公開最新Micro LED專利
來源:LEDinside 編輯:ZZZ 2024-10-11 09:01:17 加入收藏
近日,錼創(chuàng)顯示、芯映光電、高科華燁、高科視像、芯聚半導(dǎo)體公布Micro LED專利,涉及基板、顯示模組、 MIP封裝、巨量轉(zhuǎn)移等。
錼創(chuàng)顯示科技:微型發(fā)光二極管顯示面板專利
國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,錼創(chuàng)顯示科技股份有限公司申請一項名為“微型發(fā)光二極管顯示面板”的專利,公開號CN118748234A,申請日期為2021年8月。
圖片來源:國家知識產(chǎn)權(quán)局
專利摘要顯示,本發(fā)明提供一種微型發(fā)光二極管顯示面板包括第一基板、第二基板、多個微型發(fā)光二極管、波長轉(zhuǎn)換層、遮光圖案層、濾光層以及空氣間隙。
這些微型發(fā)光二極管設(shè)置于第一基板上,且分別位于多個子像素區(qū)內(nèi)。這些微型發(fā)光二極管適于發(fā)出光束。波長轉(zhuǎn)換層重疊設(shè)置于這些微型發(fā)光二極管的至少一部分。光束用于激發(fā)波長轉(zhuǎn)換層以發(fā)出轉(zhuǎn)換光束。遮光圖案層設(shè)置于第二基板上。濾光層設(shè)置在波長轉(zhuǎn)換層與第二基板之間,且重疊于這些微型發(fā)光二極管??諝忾g隙設(shè)置在這些微型發(fā)光二極管的任一者、第二基板、波長轉(zhuǎn)換層與濾光層的任兩相鄰者之間。
芯映光電:一種LED基板及顯示模組
芯映光電 公布“一種LED基板及顯示模組 ”相關(guān)專利進入授權(quán)階段,公開號CN221766782U。
圖片來源:國家知識產(chǎn)權(quán)局
該專利申請涉及一種LED基板及顯示模組,所述LED基板包括:玻璃載板,所述玻璃載板的第一板面設(shè)置有導(dǎo)電線路;HDI線路板,所述HDI線路板固設(shè)于所述玻璃載板的第二板面,且所述HDI線路板與所述玻璃載板上的導(dǎo)電線路電連接,所述第一板面與所述第二板面分別位于所述玻璃載板的相對兩側(cè)。
專利通過在HDI線路板上設(shè)置玻璃載板,并將導(dǎo)電線路設(shè)置在玻璃載板上,玻璃載板的表面精度和平整度遠遠大于HDI線路板的表面精度和平整度,有利于芯片的固定安放,能夠應(yīng)用于Micro LED顯示,解決了相關(guān)技術(shù)中HDI多層線路板制作的基板在Micro LED顯示方面難以應(yīng)用的技術(shù)問題。
高科華燁:一種Micro MIP器件制成方法
山西高科華燁電子集團有限公司 公布“一種Micro MIP器件制成方法” 相關(guān)專利進入公布階段,公開號CN118693191A。
圖片來源:國家知識產(chǎn)權(quán)局
該專利公開了一種Micro MIP器件制成方法,該方法包括以下步驟:S1.將含有LED芯片的COW與臨時載板鍵合并進行激光剝離;S2.進行三色芯片的巨量轉(zhuǎn)移,將三色芯片按照矩陣排列轉(zhuǎn)移到同一載板上;S3.準備一塊鋼化玻璃,并在其單面進行膠水涂布;S4.在鋼化玻璃表面按照矩陣排列進行金屬走線和金屬焊盤的沉積;S5.通過巨量焊接技術(shù)將芯片載板與已制備線路的鋼化玻璃焊接;S6.通過激光剝離技術(shù)剝離芯片的載板;S7.對鋼化玻璃上的結(jié)構(gòu)進行封裝;S8.通過隱切方式對Micro MIP器件進行切割。
通過本發(fā)明的制成技術(shù),可以制備出Micro LED顯示屏所需的Micro MIP器件,解決Micro MIP制成周期長、難以實現(xiàn)量產(chǎn)全自動的問題。本發(fā)明的制成方法簡單高效。
高科視像:一種新型Micro LED巨量轉(zhuǎn)移系統(tǒng)及方法
山西高科視像科技有限公司 公布“一種新型Micro LED巨量轉(zhuǎn)移系統(tǒng)及方法” 相關(guān)專利并進入公布階段,公開號CN118737911A。
圖片來源:國家知識產(chǎn)權(quán)局
該專利發(fā)明提供了一種新型Micro LED巨量轉(zhuǎn)移系統(tǒng)及方法,屬于Micro LED巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)領(lǐng)域;解決了普通轉(zhuǎn)移方法轉(zhuǎn)移良率降低、檢測修復(fù)困難的問題;包括集巨量轉(zhuǎn)移、巨量檢測和巨量修復(fù)于一體的巨量轉(zhuǎn)移系統(tǒng);巨量轉(zhuǎn)移是利用轉(zhuǎn)移頭通過真空將芯片吸起,巨量檢測是利用梯形保護罩兩側(cè)的光電檢測裝置測得Micro LED芯片的工作電壓、亮度和發(fā)光波長等參數(shù)與預(yù)設(shè)值做比對,巨量修復(fù)是利用巨量轉(zhuǎn)移頭通過信息端反饋的數(shù)據(jù),控制端控制吸嘴的開關(guān),實現(xiàn)目標基板上芯片空缺位置的點對點補位。
本發(fā)明旨在優(yōu)化Micro LED集成封裝技術(shù),并且通過新型的技術(shù)提升了巨量轉(zhuǎn)移良率,降低修復(fù)成本,提高顯示模組的色彩均勻度。
芯聚半導(dǎo)體:Micro LED芯片及其制備方法
芯聚半導(dǎo)體 公布“Micro-LED芯片及其制備方法” 相關(guān)專利進入公布階段,公開號CN118748233A。
該專利發(fā)明了一種Micro LED芯片及其制備方法,Micro LED芯片包括沿出光方向依次堆疊設(shè)置的第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和基板、以及粘結(jié)各層的粘結(jié)層,粘結(jié)層包括多個透光孔,透光孔與發(fā)光層的發(fā)光單元芯片的出光方向?qū)R。
圖片來源:國家知識產(chǎn)權(quán)局
該垂直堆疊式的Micro LED芯片通過透光孔的設(shè)計減少了光線穿過有機物的面積,避免了因有機物材料的不穩(wěn)定性造成的透光率不確定、以及有機物材料引發(fā)的光顏色變化的問題,從而一方面顯著提高了光傳輸效率和LED芯片的發(fā)光效率,減少了光損耗,另一方面提高了混光效果,保持了整個面板顯示顏色的一致性。該Micro LED在尺寸更小的同時顯著提升了顯示效果,增強了顯示亮度和色彩純度。
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