國內(nèi)外5項(xiàng)最新Micro LED研究成果一覽
來源:MicroLED 編輯:ZZZ 2024-10-28 10:18:38 加入收藏
近日,多個(gè)海內(nèi)外高校科研團(tuán)隊(duì)在Micro LED領(lǐng)域有最新研究成果,以提升Micro LED性能,并降低其制造成本。
湖南大學(xué)團(tuán)隊(duì)聯(lián)合諾視、晶能等研發(fā)超高亮度Micro LED微顯示芯片
近日,湖南大學(xué)潘安練教授和李東教授團(tuán)隊(duì)聯(lián)合諾視科技、晶能光電等合作者,成功開發(fā)了包括大尺寸高質(zhì)量硅基Micro LED外延片制備工藝、非對準(zhǔn)鍵合集成技術(shù)和原子級側(cè)壁鈍化技術(shù)的IC級GaN基Micro LED晶圓制造技術(shù),在硅襯底GaN外延片上實(shí)現(xiàn)了目前公開報(bào)道最高亮度的綠光Micro LED微顯模組。
圖片來源:Light:Science & Applications
相關(guān)研究結(jié)果以“Ultra-highbrightness Micro-LEDs with wafer-scale uniform GaN-on-siliconepilayers”為題在Light:Science & Applications上發(fā)表。
韓國科研團(tuán)隊(duì)開發(fā)新技術(shù),制造高效亞微米Micro LED
外媒報(bào)道,由Young Rag Do教授領(lǐng)導(dǎo)的韓國國民大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一種新型自上而下工藝,用于制造和隔離亞微米氮化鎵Micro LED。這項(xiàng)工藝結(jié)合了電化學(xué)腐蝕和超聲波化學(xué)分離技術(shù)刻蝕多孔層,以隔離Micro LED。
圖片來源:韓國國民大學(xué)
研究人員使用這一工藝生產(chǎn)了鍍金的氮化鎵藍(lán)色LED,其外部量子效率(EQE)為6.21%(在4.0 V電壓下)并且發(fā)光效率為1070 cd/m^2(在10.0 V電壓下)。這些LED的直徑為750納米。
此外,研究人員進(jìn)一步研究了影響點(diǎn)狀LED的納米孔尺寸、分離率和發(fā)射特性的電化學(xué)變量,以及溶劑類型對利用聲化學(xué)工藝進(jìn)行超聲波分離的影響。
這項(xiàng)研究展示了通過自上而下的工藝制造Micro LED的潛力,這可能對提高M(jìn)icro LED顯示器的性能和降低制造成本具有重要意義。通過優(yōu)化電化學(xué)和超聲波化學(xué)過程,研究人員能夠提高M(jìn)icro LED的組裝產(chǎn)量和性能,為未來Micro LED顯示技術(shù)的發(fā)展提供了新的方向。
韓國科研團(tuán)隊(duì)利用垂直自組裝工藝,提升Micro LED性能
據(jù)報(bào)道,韓國國民大學(xué)與慶熙大學(xué)合作,通過基于化學(xué)連接劑螯合鍵的流體自組裝方法,成功提升了Micro LED的性能。研究表明,與以往方法相比,組裝效率提升了61.8%。研究團(tuán)隊(duì)垂直組裝的1.3微米Micro LED在9V電壓下實(shí)現(xiàn)了8.1%的峰值外量子效率(EQE)和22,300尼特的亮度。
據(jù)悉,研究人員開發(fā)了一種新的方法,使用能夠與鋅金屬復(fù)合物內(nèi)進(jìn)行金屬螯合配位相互作用的化學(xué)連接劑,實(shí)現(xiàn)Micro LED的面選擇性垂直組裝。
圖片來源:韓國國民大學(xué)
該新工藝分為三個(gè)步驟。首先,使用自組裝單分子層(SAM)方法,用甘氨酸-巰基(gly-thiol)處理Micro LED的p-GaN表面和底部的Au層。第二步,使用各種鋅前體處理經(jīng)過甘氨酸-巰基處理的底部Au電極,以形成金屬螯合配位鍵。最后,經(jīng)過甘氨酸-巰基處理的Micro LED通過螯合鍵實(shí)現(xiàn)垂直自組裝。
美國高校團(tuán)隊(duì)開發(fā)高性能溶液處理晶體管,用于Micro LED顯示
據(jù)悉,近日,伊利諾伊大學(xué)厄巴納-香檳分校的研究人員開發(fā)了一種新工藝,用于為高性能Micro LED顯示器制造晶體管。研究人員表示,這是迄今為止性能最高的溶液處理的半導(dǎo)體晶體管,并且成本更低。
圖片來源:伊利諾伊大學(xué)
這種新工藝基于有序缺陷化合物半導(dǎo)體CuIn5Se8,通過溶液沉積法制備。這些晶體管被用來形成兆赫茲頻率下運(yùn)行的高速邏輯電路,為小型508 PPI藍(lán)光Micro LED顯示器供電。
?
美國與波蘭研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)全球首款晶體管與LED雙電子芯片
據(jù)悉,康奈爾大學(xué)與波蘭科學(xué)院的研究人員合作,開發(fā)了世界上第一塊結(jié)合了LED和晶體管的芯片。這種雙電子芯片可能會為實(shí)現(xiàn)更小、成本更低、效率更高的LED提供新思路。
圖片來源:康奈爾大學(xué)
具體來看,研究人員構(gòu)建了氮化鎵器件,使其一側(cè)具有高電子遷移率晶體管(HEMT),另一側(cè)具有LED。研究人員利用了氮化鎵的在晶軸上具有較大的電子極化的獨(dú)特屬性,使其每個(gè)表面具有不同的物理和化學(xué)屬性。鎵側(cè)適用于光子器件,而氮側(cè)適用于晶體管器件。
研究人員首先在單晶圓片上生長透明的氮化鎵基板(400微米厚),之后使用分子束外延(MBE)技術(shù),生長了HEMT和LED異質(zhì)結(jié)構(gòu)。這個(gè)器件被運(yùn)送到康奈爾大學(xué),康奈爾大學(xué)繼續(xù)在氮極面上構(gòu)建和處理HEMT。最后一步是在金屬極面上創(chuàng)建LED,使用厚的正光敏抗蝕劑涂層來保護(hù)先前處理過的n極面。
評論comment