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名古屋大學(xué)開發(fā)創(chuàng)新技術(shù),可望實(shí)現(xiàn)更高效、更明亮的Micro LED

來源:名古屋大學(xué)        編輯:ZZZ    2024-11-29 09:26:27     加入收藏

外媒消息,日本名古屋大學(xué)的研究人員研究了一種方法,可在保持LED效率的同時(shí)使LED變得更亮。

  11月28日,外媒消息,日本名古屋大學(xué)的研究人員研究了一種方法,可在保持LED效率的同時(shí)使LED變得更亮。這項(xiàng)研究有望降低LED生產(chǎn)成本和對環(huán)境的影響,同時(shí)提升其在可見光通信和虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)眼鏡等應(yīng)用中的性能。相關(guān)研究成果以“How to Make Semi-Polar InGaN Light Emitting Diodes with High Internal Quantum Efficiency: The Importance of the Internal Field ”文章發(fā)表在《激光與光子學(xué)評論》 (Laser & Photonics Review )期刊上。

  圖片來源:Optics.org

  據(jù)悉,銦鎵氮化物L(fēng)ED被認(rèn)為是最高效的光源之一,但它們通常僅在低功率水平下運(yùn)行。為了獲得更高亮度的光,需要增加其功率。然而,向LED增加更多功率會導(dǎo)致其效率下降,這種現(xiàn)象被稱為效率下滑。

  一種克服效率下滑的方法是增加LED的面積,從而提高光輸出,但這也需要使用更大的芯片。然而隨著芯片尺寸變大,晶圓能夠生產(chǎn)的LED數(shù)量將減少,從而導(dǎo)致更高的生產(chǎn)成本和更大的環(huán)境影響。

  對此,研究人員通過傾斜InGaN層并以不同的方向切割晶圓的方法,改變所得晶體的極化特性,從而減少了LED效率下滑。研究人員在一種廉價(jià)的藍(lán)寶石基底上制造了(101?3)方向的LED,這些LED在更高功率下?lián)碛懈玫男时憩F(xiàn)。

  這一發(fā)現(xiàn)為制造商開發(fā)下一代LED技術(shù)提供了創(chuàng)新方法,例如開發(fā)更高效、更明亮的Micro LED顯示屏,適用于移動設(shè)備和大屏幕電視中;開發(fā)更高電流密度的LED,應(yīng)用于汽車和特種工業(yè)照明應(yīng)用;開發(fā)更快開關(guān)速度的LED,應(yīng)用在可見光通信技術(shù)和VR眼鏡中。

  研究人員表示,未來的研究很可能無法找到比這更好的切割方向,特別是在藍(lán)寶石基底上。

免責(zé)聲明:本文來源于名古屋大學(xué),本文僅代表作者個(gè)人觀點(diǎn),本站不作任何保證和承諾,若有任何疑問,請與本文作者聯(lián)系或有侵權(quán)行為聯(lián)系本站刪除。(原創(chuàng)稿件未經(jīng)許可,不可轉(zhuǎn)載,轉(zhuǎn)載請注明來源)
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