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芯聯(lián)智創(chuàng)-全新GD25Q128ESIG 兆易貼片SOP8 FLASH存儲(chǔ)器芯片 GD閃存-GD25Q128ESIG
特征:GD25Q128ESIG ◆ 128M 位串行閃存 ◆ 快速編程/擦除速度 - 16M 字節(jié) - 頁編程時(shí)間:0.5ms(典型值) - 每個(gè)可編程頁面 256 字節(jié) - 扇區(qū)擦除時(shí)間:典型值為 45 毫秒 - 塊擦除時(shí)間:0.15s/0.25s 典型
地址:深圳市龍華區(qū)大浪街道高峰社區(qū)華榮路企商網(wǎng)創(chuàng)客中心A棟306
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芯聯(lián)智創(chuàng) | 0755-23445959 | 面議 |
◆ 高速時(shí)鐘頻率
- 133MHz 30PF 負(fù)載下快速讀取 ◆ 低功耗
- 雙 I/O 數(shù)據(jù)傳輸速度高達(dá) 266Mbits/s - 14μA 典型待機(jī)電流
- 四路 I/O 數(shù)據(jù)傳輸速度高達(dá) 532Mbits/s - 1μA 典型深度斷電電流
◆ 軟件/硬件寫保護(hù) ◆ 高級(jí)安全功能
- 通過軟件寫保護(hù)全部/部分內(nèi)存 - 每個(gè)設(shè)備的 128 位 ID
- 使用 WP# 引腳啟用/禁用保護(hù) - 串行閃存可發(fā)現(xiàn)參數(shù) (SFDP) 寄存器
- 頂部/底部塊保護(hù) - 具有 OTP 鎖的 3x1024 字節(jié)安全寄存器
◆ ***性和數(shù)據(jù)保留 ◆ 單電源電壓
- ***少 100,000 次編程/擦除周期 - 全電壓范圍:2.7-3.6V
- 典型的 20 年數(shù)據(jù)保留期
◆ 包裝信息
◆ 允許 XiP(就地執(zhí)行)操作 - SOP8 2.08 億
- 高速讀取減少了整體 XiP 指令提取時(shí)間 - SOP16 300mil
- 帶 Wrap 的連續(xù)讀取進(jìn)一步將數(shù)據(jù)延遲降低至 - USON8(4x4mm,0.45mm 厚度)
填滿 SoC 緩存 - WSON8 (6x5mm)
- WSON8 (8x6mm)
- TFBGA-24ball (6x4 Ball Array)
- TFBGA-24ball (5x5 Ball Array)